موسسه ماشین‌های نوری شانگهای پیشرفت جدیدی در مطالعه جفت‌های آینه پراکندگی مثبت و منفی دارد.

اخیراً، دپارتمان مهندسی و فناوری اجزای لیزر پرقدرت مؤسسه اپتیک و ماشین‌های دقیق شانگهای (SIPM)، آکادمی علوم چین (CAS)، پیشرفت جدیدی در تحقیق درباره جفت‌های آینه پراکندگی بالا 1000 fs2 مثبت و منفی داشته است. نتایج تحقیق با عنوان "طراحی، تولید و شناسایی یک جفت آینه با پراکندگی بالا مثبت و منفی برای سیستم های تقویت پالس چیرپ" می باشد. طراحی، تولید و شناسایی یک جفت آینه با پراکندگی بالا مثبت و منفی برای سیستم‌های تقویت پالس صدادار» در Optics Express منتشر شد.

آینه‌های پراکندگی بالا به دلیل انعکاس زیاد، پراکندگی بالا و دقت جبران پراکندگی بالا به عنوان عناصر فشرده‌سازی پالس خارج حفره در سیستم‌های تقویت پالس صدای چیپ استفاده شده‌اند. آینه های پراکندگی بالا با جبران پراکندگی بالاتر و پهنای باند وسیع تر می توانند از خروجی پالس با عرض پالس باریکتر و انرژی بالاتر پشتیبانی کنند که می تواند به بهبود کیفیت خروجی سیستم های لیزر فوق سریع کمک کند. در حال حاضر، تحقیقات روی آینه‌های پراکندگی بالا عمدتاً بر روی آینه‌های پراکندگی منفی متمرکز است، آینه‌های پراکندگی مثبت به ندرت گزارش می‌شوند، و آینه‌های پراکندگی بالا مثبت و منفی را می‌توان به ترتیب به عنوان عناصر گشادکننده و فشرده‌کننده پالس در سیستم‌های تقویت پالس چیپ استفاده کرد.

شکل 1 شبیه سازی گسترش و فشرده سازی پالس با آینه های مثبت و منفی 1000 fs2 پراکندگی بالا.

تیم تحقیقاتی یک ساختار اولیه از آینه پراکندگی بالا برای آینه‌های MGTI (تداخل سنج اصلاح‌شده Gires-Tournois) پیشنهاد کرد، یعنی با جایگزینی بخشی از لایه بازتابنده آینه استاندارد GTI با دو سیستم فیلم متقارن دوره‌ای، به طوری که حفره‌های GT و حفره های متقارن متشکل از سیستم های فیلم متقارن یک فرم پشت سر هم تشکیل می دهند و سپس طرح به ترتیب آینه های پراکندگی مثبت و منفی +1000 fs2 و -1000 fs2@750-850-800 fs2 را به دست می آورد. آینه های 1000fs2@{10}}nm پراکندگی بالا. آینه‌های پراکندگی بالا با استفاده از فناوری کندوپاش پرتو دو یونی با موفقیت آماده می‌شوند و آزمایش‌های عملکردی آن‌ها با ترکیب اسپکتروفتومتر و تداخل سنج نور سفید برای تأیید موفقیت آمیز دقت آماده‌سازی آینه‌های پراکنده تکمیل می‌شوند. با استفاده از شبیه سازی پالس، اثر جفت شدن آینه های پراکندگی بالا مثبت و منفی تایید شد. همچنین مطالعه ای در مورد آسیب آینه های پراکنده مثبت و منفی تحت اثر لیزر فمتوثانیه انجام شده است که تشکیل و ایجاد برآمدگی آینه پراکندگی بالا تحت تأثیر فمتوثانیه را توضیح می دهد. انتظار می‌رود آینه‌های مثبت و منفی 1000 fs2 با پراکندگی بالا به‌ترتیب به‌عنوان مراحل تقویت و فشرده‌سازی در سیستم تقویت پالس چیپ‌دار اعمال شوند تا سیستم تقویت پالس چیپ‌شده بر اساس تقویت و فشرده‌سازی آینه‌های پراکندگی بالا محقق شود.

شکل 2 - 1000مورفولوژی برآمدگی آینه پراکندگی بالا fs2