سیلیکون این ماده را می توان در همه جای زندگی مشاهده کرد، این یک نوع ماده پلیمری با خواص فیزیکی و شیمیایی عالی است که به طور گسترده در الکترونیک، پزشکی، خودرو، هوانوردی، نیازهای روزانه و سایر زمینه ها استفاده می شود. سوراخ کردن سیلیکون یکی دیگر از فرآیندهای رایج پردازش سیلیکون است که عمدتاً برای ساخت نوک سیلیکونی، دیافراگم سیلیکونی، مهر و موم سیلیکونی، فیلتر سیلیکونی و سایر محصولات استفاده می شود.
به طور معمول، سوراخ کردن سیلیکون برای قطعات ظریف بسیار سخت است و برای اطمینان از کیفیت و عملکرد محصول، نیاز به ریز سوراخهای دقیق، منظم و بدون سوراخ دارد. MRJ-Laser یک لیزر UV 5 وات را برای سوراخ کردن مواد سیلیکونی انتخاب کرد که حفرههای خوبی با خروجی یکنواخت و راندمان بالا ایجاد میکند و آنها را برای چشم دلپذیر میکند.
روشهای حفاری سیلیکون سنتی عمدتاً شامل حفاری مکانیکی، پردازش EDM، پردازش اولتراسونیک و غیره است. این روشها دارای معایبی هستند، مانند راندمان پردازش پایین، دقت پردازش ضعیف، کیفیت پردازش ناپایدار، آسان برای تولید منطقه متاثر از حرارت و زباله و غیره. به منظور حل این مشکلات، فناوری حفاری لیزری پدید آمده است.
فناوری پرفوراسیون لیزری نوعی روش پردازش غیر تماسی است که از پرتو لیزر با چگالی انرژی بالا برای تابش بر روی سطح سیلیکاژل استفاده میکند تا به سرعت ذوب و گاز شود تا سوراخهای ریز روی سیلیکاژل ایجاد شود. در مواجهه با این نوع پردازش دقیق، MRJ-Laser معمولا پردازش نور سرد را مانند "لیزر UV" انتخاب می کند، زیرا تاثیر گرما کمتر است و دقت پردازش بالاتر است.
فناوری پرفوراسیون لیزر UV دارای پنج مزیت زیر است:
- راندمان پردازش بالا، می تواند مشت زدن مداوم یا علامت گذاری پرواز با سرعت بالا را درک کند، راندمان تولید را تا حد زیادی بهبود بخشد.
- دقت پردازش بالا، فقط با توجه به نیاز به تنظیم آزادانه اندازه و شکل دیافراگم، می تواند پردازش ریز میکرونی یا حتی نانومتری را انجام دهد.
- کیفیت پردازش خوب، پخش میکرو متخلخل صاف و بدون سوراخ، بدون منطقه و زباله متاثر از حرارت، به عملکرد خود ژل سیلیکا آسیب نمی رساند.
- انعطاف پذیری پردازش، می تواند برای اشکال و ضخامت های مختلف سیلیکون پانچ شود، بدون نیاز به تغییر ابزار یا قالب.
- هزینه پردازش کم، عدم نیاز به مصرف مواد یا مواد مصرفی، تعمیر و نگهداری ساده، صرفه جویی در نیروی کار و منابع مادی.
